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RTDN4201Y

更新时间： 2024-10-02 18:06:27

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
5页	971K
描述
Package / Case : SOT-363;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 0.2 W;Transistor Polarity : NPN+NPN;VCEO : 45 V;VCBO : 50 V;VEBO : 6 V;Max Collector Current : 0.1 A;DC Collector/Base Gain hfe Min : 200;DC Current Gain hFE Max : 450

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RTDN4201Y 数据手册

RTDN4201G

RTDN4201Y

NPN/NPN matched double transistors

Features

1.Current gain matching

Marking

Package

SOT363

SOT353

Part Number

RTDN4201Y

RTDN4201G

2.Base-emitter voltage matching

3.Common emitter configuration for SOT353 types

4.Application-optimized pinout

Description

Simplified outline

Symbol

RTDN4201Y（SOT363）

base TR1

base TR2

collector TR2

emitter TR2

emitter TR1

collector TR1

RTDN4201G（SOT353）

base TR1

emitter TR1，TR2

base TR2

collector TR2

collector TR1

Limiting values (Ta = 25℃）

Parameter

Value

Unit

Symbol

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Current

VCEO

VEBO

100

℃

Total Power Dissipation

Ptot

200

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

150

Tstg

-55~+150

℃

2023-04/17

REV:O

12 3 4 5

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