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RTD25 PDF预览

RTD25

更新时间： 2024-11-23 03:35:43
品牌 Logo 应用领域
EDI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
100mA SILICON CARTRIDGE RECTIFIERS

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RTD25 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.74
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：50 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：10 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：25000 V最大反向恢复时间：0.2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RTD25 数据手册

 浏览型号RTD25的Datasheet PDF文件第2页 
BCD RTD  
100mA SILICON CARTRIDGE RECTIFIERS  
SMALL SIZE MOLDED PACKAGE  
PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS  
FAST RECOVERY (RTD SERIES)  
LOW LEAKAGE  
Peak  
Max. Forward Voltage  
EDI Type  
Number  
Leng th  
L
o
Reve rse Volta ge  
PRV (Volts )  
Drop at 25 C And 100 mA  
Fig. 3  
VF (Vol ts)  
STANDARD RECOVERY  
BCD08  
BCD10  
BCD12  
BCD15  
BCD20  
BCD25  
BCD30  
BCD35  
BCD40  
BCD45  
BCD50  
BCD60  
8,000  
10,0 00  
12,0 00  
15,0 00  
20,0 00  
25,000  
30,0 00  
35,0 00  
40,0 00  
45,0 00  
50,0 00  
60,0 00  
13  
13  
13  
20  
26  
33  
40  
46  
53  
60  
66  
73  
1.00  
1.00  
1.00  
1.63  
2.13  
2.63  
3.13  
3.63  
4.13  
4.63  
5.13  
6.13  
200 NANOSE COND RECOVE RY (F IG.4)  
RTD08  
RTD10  
RTD12  
RTD15  
RTD20  
RTD25  
RTD30  
RTD35  
RTD40  
RTD45  
RTD50  
RTD60  
8,000  
10,0 00  
12,0 00  
15,0 00  
20,0 00  
25,0 00  
30,0 00  
35,0 00  
40,0 00  
45,0 00  
50,0 00  
60,0 00  
20  
20  
1.00  
1.00  
1.00  
1.63  
2.13  
2.63  
3.13  
3.63  
4.13  
4.63  
5.13  
6.13  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
110  
RTD SERIES  
FAST  
BCD SERIES  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
STANDARD  
RECOVERY  
(at TA  
=25 C Unless Otherwise Specified)  
(at T  
A
=25 C Unless Otherwise Specified)  
RECOVERY  
o
o
Max. DC Reverse Current@ PRV and25 C, I  
A
2
C, I  
A
2
Max. DC Reverse Current @ PRV and 25  
Max. DC Reverse Current@ PRV and100  
Max. Reverse Recovery Time , Trr (Fig.4)  
R
R
o
o
C, I  
A
C, I  
Max. DC Reverse Current@ PRV and100  
A
R
100  
R
100  
o
o
to +125  
C
Ambient Operating Temperature Range,T  
A
200 nanosec  
-55  
-55  
C
o
o
to +150  
C
o
o
to +125  
C
Ambient Operating Temperature Range,TA  
Storage Temperature Range, T  
STG  
C
-55  
-55  
C
o
o
to +150  
C
Max.One-Half Cycle Surge Current,  
IFM  
Storage Temperature Range, T  
STG  
C
Amps  
10  
(Surge )@ 60Hz  
Max.One-HalfCycle Surge Current,  
IFM  
10 Amps  
(Surge )@ 60Hz  
Forward Current Repetitive Peak,I FRM  
Amps  
3
Amps  
3
Forward Current Repetitive Peak,IFRM  
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.  
12

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