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RSB27F2FH

更新时间： 2024-01-12 10:04:02

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罗姆 - ROHM		测试光电二极管
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2页	973K
描述
Zener Diode, 27V V(Z), 9.97%, 0.2W, Silicon, Bidirectional,

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RSB27F2FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.77	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	27 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	9.97%
工作测试电流：	1 mA	Base Number Matches：	1

RSB27F2FH 数据手册

RSB27F2FH

Diodes

AEC-Q101 Qualified

Bi-Directional Zener Diodes

RSB27F2FH

zDimensions (Unit : mm)

zOutline

RSB27F2 is a bi-directional zener diode having two

RSB27F2FH

0.15±0.05

0.3±0.1

(3)

zeners confronted in one package, aimed to absorb the

surge in plus and minus directions arising from the signal

line in mobile phone, consumer electronics such as PC,

and automotive applications.

In general, two pieces of zener diodes are used as ESD

protector to absorb the surge in +/ - directions. Paying

attention to this point and using its original technology,

ROHM succeeded to incorporate 2 zeners in one die /

package for benefit of space-saving on the circuit board.

0~0.1

(1)

(2)

0.65

0.6 0.3

0.9±0.1

1.3±0.1

2.0±0.2

zFeatures

1) Absorption of plus & minus surge with one package.

2) Decrease of components and space-saving on the

circuit board.

zStructure

(3)

(1)

(2)

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Power dissipation (*1)

Junction temperature

Limits

200

Symbol

Unit

℃

150

Operation temperature range

-55 to +150

Tstg

℃

(*1) Total of 2 elements

zElectrical characteristics (Ta=25°C) (Rating of per diode)

Parameter

Zener voltage

Conditions

Symbol

Min.

Max.

32.0

0.1

Unit

V_z

I_R

26.2

I_F=1mA

Reverse current

µA

V_R=24V

Capacitance between terminals

V_R=0V , f=1MHz

∗ Zener voltage to be measured at 40ms after current starting to apply.

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