RSB12Z

更新时间： 2024-02-20 19:10:56

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罗姆 - ROHM		二极管齐纳二极管装置
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3页	137K
描述
Low Capacitance Protection Device

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RSB12Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
击穿电压标称值：	12 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性：	BIDIRECTIONAL	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES

RSB12Z 数据手册

RSB12Z

Diodes

Low Capacitance Protection Device

RSB12Z

zApplication

ESD Protection

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

0.4

1.2±0.1

zFeatures

0.13±0.05

0.32±0.05

0.4

0.5

(3)

1) Ultra small mold type. (VMD3)

2) Low capacitance

3) Bi direction

0～0.1

0.8

VMD3

(1)

0.4

(2)

0.22±0.05

0.4

0.22±0.05

zStructure

0.5±0.05

zConstruction

Silicon Epitaxial Planar

ROHM : VMD3

dot(year week factory)

zTaping specifications (Unit : mm)

0.3±0.1

2.0±0.04

4.0±0.07

φ1.55±0.05

φ0.5±0.05

0.6±0.05

(4.0±0.1)

2.0±0.05

1.3±0.05

ꢀꢀꢀ

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Limits

150

Symbol

Unit

℃

-55 to +150

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Zener voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

14.4

0.10

Unit

Conditions

V_Z

I_R

I_Z=5mA

V_R=9V

9.6

Reverse current

µA

Capacitance between terminals

f=1MHz,V_R=0V

C_t

1/2

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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