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RSB12WFH

更新时间: 2024-11-11 21:16:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 862K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 20%, 0.15W, Silicon, Bidirectional, EMD3, SC-75A, 3 PIN

RSB12WFH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.74配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.15 W
参考标准:AEC-Q101标称参考电压:12 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:20%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

RSB12WFH 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Low Capacitance Protection Device  
RSB12WFH  
Applications  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure(Unit : mm)  
ESD Protection  
1.0  
0.5  
0.5  
1.6±0.2  
0.3±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
0.15±0.05  
(3)  
Features  
0.7  
1)Ultra small mold type.(EMD3)  
2)Low capacitance  
3)Bi direction  
0~0.1  
0.6  
0.6  
(1)  
(2)  
0.2±0.1  
ꢀꢀ-0.05  
EMD3  
0.55±0.1  
0.7±0.1  
0.5  
1.0±0.1  
0.5  
Construction  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
ROHM : EMD3  
JEDEC : SOT-416  
JEITA : SC-75A  
dot(year week factory)  
Taping specifications(Unit : mm)  
φ1.50.1  
2.0±0.05  
0.3±0.1  
4.0±0.1  
0  
1.8±0.1  
φ0.5±0.1  
0.9±0.2  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Limits  
Symbol  
P
Unit  
150  
150  
mW  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
55 to 150  
Tstg  
°C  
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Zener voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
14.4  
0.10  
-
Unit  
V
Conditions  
VZ  
IR  
9.6  
-
-
IZ=5mA  
VR=9V  
Reverse current  
-
-
μA  
pF  
Capacitance between terminals  
Ct  
f=1MHz,VR=0V  
1
www.rohm.com  
2011.04 - Rev.B  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
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