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RSB12W

更新时间: 2024-01-18 02:21:45
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 装置
页数 文件大小 规格书
3页 138K
描述
Low Capacitance Protection Device

RSB12W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
击穿电压标称值:12 V二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性:BIDIRECTIONAL子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES

RSB12W 数据手册

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RSB12W  
Diodes  
Low Capacitance Protection Device  
RSB12W  
zLand size figure (Unit : mm)  
zApplication  
zDimensions (Unit : mm)  
ESD Protection  
1.0  
0.5  
0.5  
1.6±0.2  
0.3±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
0.15±0.05  
zFeatures  
(3)  
1) Ultra small mold type. (EMD3)  
2) Low capacitance  
3) Bi direction  
0.7  
0~0.1  
0.6  
0.6  
(1)  
(2)  
0.5  
0.2±0.1  
ꢀꢀ-0.05  
EMD3  
0.55±0.1  
0.7±0.1  
0.5  
1.0±0.1  
zConstruction  
zStructure  
Silicon Epitaxial Planar  
ROHM :  
JEDEC : SOT-416  
JEITA : SC-75A  
dot(year week factory)  
zTaping specifications (Unit : mm)  
φ1.55±0.1  
0
2.0±0.05  
0.3±0.1  
4.0±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
1.8±0.1  
φ0.5±0.1  
0.9±0.2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
Symbol  
P
Unit  
mW  
150  
150  
-55 to +150  
Tj  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
14.4  
0.10  
-
Unit  
V
Conditions  
VZ  
IR  
Zener voltage  
9.6  
-
-
IZ=5mA  
VR=9V  
Reverse current  
-
-
µA  
pF  
Capacitance between terminals  
Ct  
f=1MHz,VR=0V  
1
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