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RS6G120BG

更新时间: 2023-09-03 20:25:09
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罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
13页 2815K
描述
RS6G120BG是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。 .singlenchmosmovie-wrap { max-width: 33%;} .singlenchmosmovie { position: relative; width:100%; height:0; padding-top: 56.25%; }.singlenchmosmovie-wrap iframe { position: absolute; top: 0; left: 0; width: 100%; height: 100%;}@media screen and (max-width: 769px) {.singlenchmosmovie-wrap { max-width: 100%; } }

RS6G120BG 数据手册

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RS6G120BG  
Nch 40V 210A Power MOSFET  
Datasheet  
llOutline  
VDSS  
40V  
1.34mΩ  
±210A  
104W  
RDS(on)(Max.)  
HSOP8  
ID  
PD  
llInner circuit  
llFeatures  
1) Low on - resistance  
2) High power package (HSOP8)  
3) Pb-free plating ; RoHS compliant  
4) Halogen free  
5) 100% Rg and UIS tested  
llPackaging specifications  
Embossed  
Tape  
Packing  
Reel size (mm)  
330  
12  
llApplication  
Tape width (mm)  
Quantity (pcs)  
Taping code  
Marking  
Type  
Switching  
2500  
TB1  
RS6G120BG  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
VDSS  
Drain - Source voltage  
40  
±210  
±120  
±840  
±20  
*1  
Silicon limit (V =10V)  
ID  
A
GS  
Continuous drain current  
*2  
Tc = 25°C (V =10V)  
ID  
A
GS  
*3  
IDP  
Pulsed drain current  
Gate - Source voltage  
A
VGSS  
V
*4  
IAS  
Avalanche current, single pulse  
Avalanche energy, single pulse  
50  
A
*4  
EAS  
187  
mJ  
W
W
*2  
PD  
104  
Power dissipation  
*5  
PD  
3.0  
Tj  
Junction temperature  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55 to +150  
www.rohm.com  
© 2022 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
1/10  
20221115 - Rev.004  

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