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RS1M-GT3 PDF预览

RS1M-GT3

更新时间： 2024-10-30 13:46:11
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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RS1M-GT3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.5 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RS1M-GT3 数据手册

 浏览型号RS1M-GT3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RS1M-GT3的Datasheet PDF文件第3页 
RS1A – RS1M  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
Data Sheet 2712, Rev. A  
Features  
1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER  
ꢀ
ꢀ
Glass Passivated Die Construction  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
Low Power Loss  
Fast Recovery Time  
Plastic Case Material has UL Flammability  
Classification Rating 94V-O  
B
A
F
C
H
G
E
SMA/DO-214AC  
Mechanical Data  
Dim Min Max Min  
Max  
ꢀ
ꢀ
Case: Molded Plastic  
A
B
C
D
E
F
2.50 2.90 0.098 0.114  
4.00 4.60 0.157 0.181  
1.40 1.60 0.055 0.063  
0.152 0.305 0.006 0.012  
4.80 5.28 0.189 0.208  
2.00 2.44 0.079 0.096  
0.051 0.203 0.002 0.008  
0.76 1.52 0.030 0.060  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Weight: 0.064 grams (approx.)  
G
H
In mm  
In inch  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol RS1A RS1B RS1D RS1G  
RS1J RS1K RS1M  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TL = 90°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
30  
A
Forward Voltage  
@IF = 1.0A  
VFM  
IRM  
1.30  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
5.0  
300  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
trr  
Cj  
150  
250  
500  
nS  
pF  
10  
32  
RθJL  
Tj, TSTG  
K/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-50 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A,  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.  
3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm2 land area.  
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123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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