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RS1D

更新时间： 2024-01-01 23:39:45
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SSE 开关
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING RECTIFIER

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RS1D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RS1D 数据手册

  
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD.  
RS1A THRU RS1M  
SURFACE MOUNT FAST  
TECHNICAL  
SPECIFICATION  
SWITCHING RECTIFIER  
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A  
FEATURES  
SMA/DO-214AC  
• Ideal for surface mount pick and  
B
place application  
• Low profile package  
• Built-in strain relief  
• High surge capability  
• Glass passivated chip  
• Fast recovery for high efficiency  
• High temperature soldering guaranteed:  
260oC/10sec/at terminal  
C
A
F
D
H
G
MECHANICAL DATA  
A
B
C
D
• Terminal: Plated leads solderable per  
MAX. .110(2.79) .177(4.50) .058(1.47) .012(0.305)  
MIN. .100(2.54) .157(3.99) .052(1.32) .006(0.152)  
MIL-STD 202E, method 208C  
E
F
G
H
• Case: Molded with UL-94 Class V-O  
recognized flame retardant epoxy  
• Polarity: Color band denotes cathode  
MAX. .208(5.28) .090(2.29) .008(0.203) .060(1.52)  
MIN. .194(4.93) .078(1.98) .004(0.102) .030(0.76)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated,for capacitive load,  
derate current by 20%)  
RS RS RS RS RS RS RS  
RATINGS  
SYMBOL  
UNITS  
1A  
50  
1B  
100 200 400 600 800 1000  
70 140 280 420 560 700  
1D 1G  
1J  
1K 1M  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
V
35  
50  
Maximum DC Blocking Voltage  
100 200 400 600 800 1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
(TL=110oC)  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
1.0  
A
A
V
Peak Forward Surge Current (8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
(at rated forward current)  
30  
1.3  
Ta=25oC  
Ta=125oC  
(Note 1)  
5.0  
Maximum DC Reverse Current  
(at rated DC blocking voltage)  
µA  
µA  
IR  
200  
150  
500  
Maximum Reverse Recovery Time  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
trr  
CJ  
250  
nS  
15  
30  
(Note 2)  
(Note 3)  
pF  
oC/W  
oC  
Rθ(ja)  
-50 to +150  
T
STG,TJ  
Storage and Operation Junction Temperature  
Note:  
1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A.  
2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc  
3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area  
http://www.sse-diode.com  
1

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