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RS1AV1

更新时间： 2024-11-20 20:01:43

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三垦 - SANKEN		二极管
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4页	139K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.7A, Silicon,

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RS1AV1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.55
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.7 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	1.5 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

RS1AV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RS1A

１ Scope

The present specifications shall apply to an RS1A.

２ Outline

Type

Silicon Diode

Resin Molded

Structure

Applications

High Frequency Rectification

３ Flammability

UL94V-0(Equivalent)

４ Absolute maximum ratings

No.

Item

Symbol Unit

Rating

650

Conditions

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

I²t

600

Refer to derating curve

in Section 7

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

I²t Limiting Value

0.7

10ms.

Half sine wave, one shot

A²s

°C

4.5

1ms≦t≦10ms

Junction Temperature

T_j

-40 to +150

Storage Temperature

T_stg

５ Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

No.

Item

Symbol Unit

Value

Conditions

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

V_F

I_R

2.5 max.

10 max.

I_F=0.8A

µA

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µs

2.0 max.

1.5 max.

0.6 max.

15 max.

V_R=V_RM, T_j=150°C

H･I_R

Trr1

Trr2

R_th(j-l)

I_F=I_RP=10mA

90% Recovery point, T_j=25°C

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

I_F=10mA I_RP=20mA

75% Recovery point, T_j=25°C

µs

°C/W

Between Junction and Lead

050927

1／4

61426-01

12 3 4

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