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RR1LAM6STR

更新时间: 2024-11-05 14:44:31
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 698K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 750V V(RRM), Silicon,

RR1LAM6STR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:1.7
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:750 V表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RR1LAM6STR 数据手册

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Rectifying Diode  
Datasheet  
RR1LAM6S  
lSeries  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand Size Figure (Unit : mm)  
Standard Rectifier  
0.10  
0.05  
2.0  
0.17±  
2.50±0.20  
(1)  
lApplications  
General rectification  
PMDTM  
lFeatures  
lStructure  
Cathode  
(2)  
1.50±0.20  
1) Low forward voltage  
0.95±0.10  
ROHM : PMDTM  
JEDEC : SOD-128  
2) High current overload capacity  
: Manufacture Date  
Anode  
lTaping Dimensions (Unit : mm)  
lConstruction  
Silicon diffused junction type  
lAbsolute Maximum Ratings (Ta= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
750  
600  
1
Unit  
VRM  
VR  
Io  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
V
V
Direct reverse voltage  
Glass epoxy board mounted,  
60Hz half sin wave, resistive load  
60Hz half sin wave,  
Average forward rectified current  
Non-repetitive forward surge current  
Junction temperature  
A
IFSM  
Tj  
30  
A
non-repetitive at Tj=25ºC  
-
-
150  
°C  
Tstg  
Storage temperature  
-55 to +150 °C  
lElectrical Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=1A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
0.8 0.93 1.1  
V
VR=600V  
IR  
Reverse current  
-
-
-
-
10  
mA  
Rth(j-l)  
Junction to lead  
Thermal resistance  
25 °C/W  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2017.04 - Rev.B  
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