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RP5B02N

更新时间: 2024-11-07 19:41:15
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理光 - RICOH 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
Standard SRAM, 256X8, 200ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, DIP-24

RP5B02N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP,
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88最长访问时间:200 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T24内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X8
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

RP5B02N 数据手册

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