是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-16 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.63 |
Is Samacsys: | N | JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码: | e3/e2 | 长度: | 19.4 mm |
端子数量: | 16 | 最高工作温度: | 75 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP16,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.55 mm |
子类别: | Other Microprocessor ICs | 最大压摆率: | 1.5 mA |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层: | TIN/TIN COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 宽度: | 7.62 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR CIRCUIT | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BU920P | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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BU920PFI | ISC | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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BU920PFI | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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BU920T | ISC | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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BU920T | STMICROELECTRONICS | HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION |
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BU921 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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