5秒后页面跳转
1N4447VE PDF预览

1N4447VE

更新时间: 2024-02-18 18:10:33
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 176K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon

1N4447VE 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.65外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4447VE 数据手册

 浏览型号1N4447VE的Datasheet PDF文件第2页 

与1N4447VE相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4447X MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,

获取价格

1N4448 TAITRON Switching Dioses

获取价格

1N4448 RECTRON SIGNAL DIODE

获取价格

1N4448 NJSEMI HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES

获取价格

1N4448 PINGWEI HIGH SPEED SWITCHING DIODES

获取价格

1N4448 WILLAS 1N4448 SIGNAL DIODE

获取价格