生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.63 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 2 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.15 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向电流: | 5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N4447HJ | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
1N4447HL | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
1N4447HO | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
1N4447HS | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
1N4447HX | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
1N4447R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, |
获取价格 |