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1N4153HG

更新时间: 2024-01-20 09:15:06
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罗姆 - ROHM 二极管
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2页 176K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon

1N4153HG 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.62
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.88 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向电流:0.05 µA最大反向恢复时间:0.002 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4153HG 数据手册

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