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1N4150T-72

更新时间： 2024-01-12 05:42:44

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罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, SC-40, 2 PIN

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技术参数
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1N4150T-72 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.57
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e1	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N4150T-72 数据手册

1N4148 / 1N4150 / 1N4448

Diodes

Switching diode

1N4148 / 1N4150 / 1N4448

∗This product is available only outside of Japan.

zExternal dimensions (Unit : mm)

zApplication

High-speed switching

CATHODE BAND (BLACK)

Type No.

zFeatures

φ 0.5±0.1

1) Glass sealed envelope. (GSD)

2) High speed.

φ 1.8±0.2

29±1

3.8±

0.2

29±1

3) High reliability.

ROHM : GSD

EIAJ : −

JEDEC : DO-35

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

FSM

(V)

(mW)

°C

Topr

°C

Tstg

°C

1µs

Type

(mA)

(

)

(

)

(

)

(A)

100

450

600

450

150

200

150

200

250

200

500

200

−65 to +200 −65 to +200

1N4148

1N4150

1N4448

100

(1N914B)

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

(V)

BV (V) Min.

(µA) Max.

@25°C @150°C

(V) (V)

0.025 20

5.0 75

0.025 20

(pF)

rr (ns)

=6V

=10mA

Type

0.1mA 0.25mA 1mA

2mA

5mA

10mA 20mA 30mA 50mA 100mA 200mA 250mA 5µA 100µA

f=1MHz

=100Ω

1N4531

1N4148

1N4150

1N4448

−

100

50.0

1.0

2.5

5.0

0.54

0.62

0.66

0.76

0.86

0.82

0.92

0.87

1.0

0.1

50 100.0 50

0.74

0.62

0.025 20

5.0 75

−

100

50.0

0.72

and the lower figure is the maximum V

1.0

The upper figure is the minimum V

value.

1/2

12 3

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