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1N4150T-10A

更新时间: 2024-02-29 19:50:21
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 144K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N4150T-10A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.59Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

1N4150T-10A 数据手册

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