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RN4609(TE85L)

更新时间： 2024-09-22 15:49:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 262K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN4609(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.86
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN4609(TE85L) 数据手册

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RN4609  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
(Transistor with Built-in Bias Resistor)  
RN4609  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
z Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)  
z With built-in bias resistors  
z Simplify circuit design  
z Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
R1: 47kΩ  
R2: 22kΩ  
(Q1, Q2 Common)  
JEDEC  
―
―
JEITA  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
2-3N1A  
TOSHIBA  
Weight: 15 mg (typ.)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−15  
V
I
−100  
mA  
C
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
15  
V
I
100  
mA  
C
1
2010-10-04  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN4609TE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General
RN4609TE85N TOSHIBA

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RN4610(TE85L) TOSHIBA

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RN4611(TE85L,F) TOSHIBA

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