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RN2910,LF(CT

更新时间： 2024-01-10 15:50:58

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	171K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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RN2910,LF(CT 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.05 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RN2910,LF(CT 数据手册

RN2910,RN2911

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2910,RN2911

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN1910, RN1911

Equivalent Circuit

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 6.8mg

2-2J1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characterisstic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−5

−100

200

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

* : Total rating

P *

150

−55~150

stg

Equivalent Circuit (Top View)

2001-06-07

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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