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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN2905 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN2905(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, |
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| RN2905(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP |
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| RN2905AFS | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2905FE | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2905FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP |
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| RN2905FS | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2905FS(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),TSOP |
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| RN2905TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN2905TE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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