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RN2316(TE85R)

更新时间： 2024-11-27 15:49:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	458K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2316(TE85R) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.76
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

RN2316(TE85R) 数据手册

RN2314~RN2318

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2314,RN2315,RN2316,RN2317,RN2318

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

Unit: mm

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN1314~RN1318

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R (kΩ)

RN2314

RN2315

RN2316

RN2317

RN2318

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

JEITA

SC-70

2-2E1A

TOSHIBA

Weight: 0.006g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

RN2314~2318

Collector-emitter voltage

CEO

RN2314

RN2315

RN2316

RN2317

RN2318

−5

−6

Emitter-base voltage

−7

EBO

−15

−25

Collector current

−100

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2314~2318

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2317	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
RN2317(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
RN2317(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2318	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
RN2318(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
RN2318(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2318(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN232-0.6-02-47M	Schaffner	获取价格	Current-compensated Chokes
RN232-1.6-02	ETC	获取价格	Current-compensated Chokes
RN232-1.6-02-10M	Schaffner	获取价格	Current-compensated Chokes

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