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RN2313

更新时间： 2024-01-17 13:14:38
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 159K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

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RN2313 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.54
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

RN2313 数据手册

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RN2312,RN2313  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2312,RN2313  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN1312, RN1313  
Equivalent Circuit  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characterisstic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEDEC  
―
EIAJ  
SC-70  
2-2E1A  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
TOSHIBA  
Weight: 0.006g  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
−5  
V
Collector current  
I
−100  
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
T
150  
j
T
−55~150  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
V
V
V
=−50V, I =0  
―
―
―
―
−100  
−100  
400  
−0.3  
―
nA  
nA  
―
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
―
= −5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
―
= −5V, I = −1mA  
120  
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Translation Frequency  
Collector output capacitance  
V
―
I
= −5mA, I = −0.25mA  
―
―
−0.1  
200  
3
V
C
B
f
―
V
V
= −10V, I = −5mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
―
= −10V, I = 0, f = 1MHz  
―
6
ob  
E
RN2312  
Input resistor  
15.4  
32.9  
22  
28.6  
61.1  
R1  
―
―
kΩ  
RN2313  
47  
1
2001-06-07  
12345

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与RN2313相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2313(TE85L2) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2313(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2314 ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
RN2314(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2315 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
RN2315(TE85L2) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2315(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2316 TOSHIBA

获取价格

 		PNP Bias Resistor Built-in Transistors (BRT),
RN2316(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN2316(TE85L2) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP

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