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RN2307(TE85L)

更新时间： 2024-01-27 16:46:39

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	298K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2307(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.85	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

RN2307(TE85L) 数据手册

RN2307~RN2309

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2307,RN2308,RN2309

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit: mm

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN1307~RN1309

Equivalent Circuit

Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2307

RN2308

RN2309

JEDEC

―

JEITA

SC-70

TOSHIBA

2-2E1A

Weight: 0.006 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

Collector-emitter voltage

RN2307

RN2308

RN2309

−6

Emitter-base voltage

−7

EBO

−15

Collector current

−100

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2308	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN2308(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
RN2309	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN2310	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2310(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
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RN2310(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN2310,LF(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2311	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
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