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RN2101FT

更新时间： 2024-01-17 22:04:06

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	547K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2101FT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TESM, 2-1B1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

RN2101FT 数据手册

RN2101∼RN2106

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2101, RN2102, RN2103,

RN2104, RN2105, RN2106

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

z Built-in bias resistors

z Simplified circuit design

z Fewer parts and simplified manufacturing process

z Complementary to RN1101~RN1106

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2101

RN2102

RN2103

RN2104

RN2105

RN2106

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

JEITA

TOSHIBA

2-2H1A

Weight: 2.4 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2101~2106

Collector-emitter voltage

RN2101~2104

RN2105, 2106

−10

Emitter-base voltage

EBO

−5

Collector current

−100

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2101~2106

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2101MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2101MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2101MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
RN2102	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2102(T5L,F,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2102(T5L,PP,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2102(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN2102ACT	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2102ACT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SMT
RN2102CT	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver

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