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RN152G

更新时间: 2024-11-19 04:07:47
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罗姆 - ROHM PIN二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 140K
描述
PIN diode (Silicon Epitaxial Planer)

RN152G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84应用:SWITCHING
最小击穿电压:30 V配置:SINGLE
最大二极管电容:0.45 pF标称二极管电容:0.45 pF
二极管元件材料:SILICON最大二极管正向电阻:1.8 Ω
二极管电阻测试电流:10 mA二极管电阻测试频率:100 MHz
二极管类型:PIN DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
反向测试电压:1 V子类别:PIN Diodes
表面贴装:YES技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RN152G 数据手册

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RN152G  
Diodes  
PIN diode (Silicon Epitaxial Planer)  
RN152G  
z Land size figure (Unit : mm)  
z External dimensions (Unit : mm)  
z Applications  
High frequency switching  
0.5  
0.13±0.03  
0.6±0.05  
z Features  
1) Ultra small mold type. (VMD2)  
2) High frequency resistance which  
is small and low capacity.  
VMD2  
z Structure  
z Construction  
Silicon epitaxial planar  
0.27±0.03  
0.5±0.05  
ROHM : VMD2  
dot (year week factory)  
z Taping dimensions (Unit : mm)  
0.18±0.05  
φ1.5+0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ0  
2±0.05  
4±0.1  
φ0.5  
0.3  
0.65±0.05  
4±0.1  
2±0.05  
0.76±0.1  
z Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
30  
Symbol  
Unit  
Reverse voltage  
VR  
V
mA  
Forward current  
IF  
100  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Operation temperature  
Tj  
-55 to +150  
-55 to +150  
Tstg  
Topor  
z Electrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Unit  
V
Forward voltage  
VF  
IR  
-
-
-
-
-
-
IF=10mA  
Reverse current  
-
0.1  
0.45  
4.8  
1.8  
µA  
pF  
Ω
VR=30V  
Capacitance between terminals  
Ct  
0.15  
VR=1V , f=1MHz  
IF=1mA,f=100MHz  
IF=10mA,f=100MHz  
-
-
Forward frequency resistance  
Rf  
Ω
Rev.B  
1/2  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN152GT2R ROHM

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For use in Muting and Switching Applications