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RN1313

更新时间： 2024-11-16 04:07:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
5页 176K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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RN1313 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.52
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

RN1313 数据手册

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RN1312,RN1313  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1312,RN1313  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN2312, RN2313  
Equivalent Circuit  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEDEC  
―
EIAJ  
SC-70  
2-2E1A  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
TOSHIBA  
Weight: 0.006g  
5
V
I
C
I
B
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
Base current  
100  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
T
125  
j
T
−55~125  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
V
V
V
= 50V, I = 0  
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
FE  
―
= 5V, I = 1mA  
120  
―
―
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
I
= 5mA, I = 0.25mA  
C B  
0.1  
250  
3
V
CE (sat)  
f
V
V
= 10V, I = 5mA  
―
―
MHz  
pF  
T
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
CB E  
6
―
―
ob  
RN1312  
Input resistor  
15.4ꢀ  
32.9ꢀ  
22  
47  
28.6  
61.1  
R1  
―ꢀ  
―
kΩ  
RN1313  
1
2001-06-07  
12345

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与RN1313相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1313(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1313(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1313(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1314 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1314(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1314(TE85L2) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1314(TE85R) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1315 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1315(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
RN1315(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70

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