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RN1311

更新时间： 2024-11-15 21:55:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管PC
页数 文件大小 规格书
5页 155K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1311 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.5最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

RN1311 数据手册

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RN1310,RN1311  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1310,RN1311  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN2310, RN2311  
Equivalent Circuit  
JEDEC  
―
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
EIAJ  
SC-70  
2-2E1A  
TOSHIBA  
Weight: 0.006g  
Characterisstic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
5
V
Collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
c
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
c
T
150  
j
T
−55~150  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
V
= 50V, I = 0  
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
―
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
―
= 5V, I = 1mA  
120ꢀ  
―
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Translation frequency  
V
―
I
= 5mA, I = 0.25mA  
0.1  
250  
3
V
C
B
f
―
V
V
= 10V, I = 5mA  
―
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
―
Collector output capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E
―
3.29  
7ꢀ  
6
ob  
RN1310  
Input resistor  
4.7  
10  
6.11  
13  
R1  
―ꢀ  
―ꢀ  
kΩ  
RN1311  
1
2001-06-07  
12345

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与RN1311相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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