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RN1310

更新时间： 2024-01-24 02:23:32

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
5页	155K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1310 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz

RN1310 数据手册

RN1310,RN1311

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1310,RN1311

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2310, RN2311

Equivalent Circuit

JEDEC

―

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

EIAJ

SC-70

2-2E1A

TOSHIBA

Weight: 0.006g

Characterisstic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

100

150

−55~150

stg

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Test

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Circuit

―

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

= 50V, I = 0

―

100

700

0.3

―

CBO

―

= 5V, I = 0

EBO

DC current gain

―

= 5V, I = 1mA

120ꢀ

―

CE (sat)

Collector-emitter saturation voltage

Translation frequency

―

= 5mA, I = 0.25mA

0.1

250

―

= 10V, I = 5mA

―

MHz

―

Collector output capacitance

= 10V, I = 0, f = 1MHz

―

3.29

7ꢀ

RN1310

Input resistor

4.7

6.11

―ꢀ

kΩ

RN1311

2001-06-07

12 3 4 5

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与RN1310相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RN1310_07	TOSHIBA	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	获取价格
RN1311	TOSHIBA	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	获取价格
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RN1312(TE85L2)	TOSHIBA	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP	获取价格