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RN1309

更新时间： 2024-11-15 22:43:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1309 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.51	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN1309 数据手册

RN1307~RN1309

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1307,RN1308,RN1309

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2307~RN2309

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2207

RN2208

RN2209

JEDEC

―

EIAJ

SC-70

2-2E1A

TOSHIBA

Weight: 0.006g

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

Collector-emitter voltage

RN1307

RN1308

RN1309

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6

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与RN1309相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1309(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1309(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN1309(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN1310	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1310_07	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1311	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1311(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN1311(TE85R,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN1312	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1312(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP