RN1308

更新时间： 2024-11-15 22:43:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管光电二极管 PC
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6页	166K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1308 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RN1308 数据手册

RN1307~RN1309

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1307,RN1308,RN1309

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2307~RN2309

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2207

RN2208

RN2209

JEDEC

―

EIAJ

SC-70

2-2E1A

TOSHIBA

Weight: 0.006g

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

Collector-emitter voltage

RN1307

RN1308

RN1309

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RN1309	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1309(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1309(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN1309(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
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