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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1309 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1309(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70 |
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| RN1309(TE85L2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener |
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| RN1309(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener |
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| RN1310 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1310_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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| RN1311 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1311(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener |
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| RN1311(TE85R,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN1312 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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