5秒后页面跳转
RN1306(TE85R) PDF预览

RN1306(TE85R)

更新时间: 2024-11-28 05:46:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1306(TE85R) 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.83
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz

RN1306(TE85R) 数据手册

 浏览型号RN1306(TE85R)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RN1306(TE85R)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RN1306(TE85R)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RN1306(TE85R)的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RN1306(TE85R)的Datasheet PDF文件第6页 

与RN1306(TE85R)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1306LF(T TOSHIBA

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor
RN1306TE85LF TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1307 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1307(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1307(TE85R) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN1308 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1308(TE85L2) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN1309 TOSHIBA

获取价格

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1309(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70
RN1309(TE85L2) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener