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RN1241-B

更新时间： 2024-11-06 20:11:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1241-B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2-4E1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.79	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	350
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

RN1241-B 数据手册

RN1241~RN1244

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1241,RN1242,RN1243,RN1244

Unit: mm

For Muting and Switching Applications

l High emitter-base voltage

: V

= 25v (min)

EBO

l High reverse hfe

: reverse h = 150 (typ.) (V

FE CE

= −2V, I = −4ma)

l Low on resistance

: R

= 1Ω (typ.) (I = 5mA)

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Equivalent Circuit

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 0.13g

2-4E1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

300

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

300

150

−55~150

stg

2001-06-07

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1242	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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RN1242A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| SPAK
RN1242-A	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1242B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| SPAK
RN1242-B	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
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