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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1009 | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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| RN1010 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1010(TPE2) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| RN1011 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1011(TPE2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| RN102 | ETC |
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Current-compensated Chokes |
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| RN102-0.3/02 | ETC |
获取价格 |
DROSSEL NETZ PCB 15MH 0.3A |
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| RN102-0.3-02 | ETC |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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| RN102-0.3-02-12M | Schaffner |
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Current-compensated Chokes |
|
| RN102-0.3-02-22M | Schaffner |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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