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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> RMPA2456
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RMPA2456

更新时间： 2024-02-22 18:21:02
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
8页 935K
描述
2.4-2.5 GHz InGaP HBT Low Current Linear Power Amplifier

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RMPA2456 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：3 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS PACKAGE-16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：31.5 dB最大输入功率 (CW)：5 dBm
JESD-609代码：e3最大工作频率：2500 MHz
最小工作频率：2400 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C射频/微波设备类型：NARROW BAND MEDIUM POWER
端子面层：MATTE TINBase Number Matches：1

RMPA2456 数据手册

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Preliminary  
March 2005  
RMPA2456  
2.4–2.5 GHz InGaP HBT Low Current Linear Power Amplifier  
Features  
General Description  
■ 31.5dB small signal gain  
The RMPA2456 power amplifier is designed for high  
performance WLAN applications in the 2.4–2.5 GHz frequency  
band. The low profile 16 pin 3 x 3 x 0.9 mm package with internal  
matching on both input and output to 50 Ohms minimizes next  
level PCB space and allows for simplified integration. The on-  
chip detector provides power sensing capability while the bias  
control provides power saving shutdown capability. The PA’s  
industry leading low power consumption and excellent linearity  
are achieved using our InGaP Heterojunction Bipolar Transistor  
(HBT) technology.  
■ 27dBm output power @ 1dB compression  
■ 100mA total current at 19dBm modulated power out  
■ 2.8% EVM at 19 dBm modulated power out  
■ 3.3V supply operation  
■ Power saving shutdown options (bias control)  
■ Integrated power detector with 20dB dynamic range  
■ Lead-free RoHS compliant 3 x 3 x 0.9mm leadless package  
■ Internally matched to 50 Ohms and DC blocked RF input/  
output  
■ Optimized for use in 802.11b/g applications  
Device  
1
Electrical Characteristics 802.11g OFDM Modulation  
(176 µs burst time, 100 µs idle time) 54 Mbps Data Rate, 16.7 MHz Bandwidth  
Parameter  
Min  
2.4  
Typ  
Max  
2.5  
Units  
GHz  
V
Frequency  
Collector Supply Voltage  
Mirror Supply Voltage  
Mirror Supply Current  
Gain  
3.0  
3.3  
3.3  
3.3  
31.5  
100  
2.8  
775  
5
3.6  
3.0  
3.6  
V
mA  
dB  
Total Current @ 19dBm P  
mA  
%
OUT  
2
EVM @ 19dBm P  
OUT  
Detector Output @ 19dBm P  
mV  
dBm  
OUT  
3
Detector Threshold  
Notes:  
1. VC1, VC2, VC3 = 3.3V, VM123 = 3.3V, T = 25°C, PA is constantly biased, 50Ω system.  
A
2. Percentage includes system noise floor of EVM = 0.8%.  
3. P  
measured at P corresponding to power detection threshold.  
IN  
OUT  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
RMPA2456 Rev. C  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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