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RMP4N60LD

更新时间: 2024-10-15 18:04:51
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
11页 1978K
描述
Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2000 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 15 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 51 W;Input Capacitance (Ciss) : 580 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : TO-252(D-PAK)

RMP4N60LD 数据手册

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RMP4N60TI  
RMP4N60T2  
RMP4N60LD  
RMP4N60IP  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Jiexin semiconductor’s proprietary.  
RMP4N60  
The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve switching  
performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for  
higher efficiency and system miniaturization.  
MAIN CHARACTERISTICS  
Symbol  
VDSS  
ID  
RDS(ON)  
Crss  
600  
4.0  
2.0  
8
V
A
Ω
pF  
Package  
FEATURES  
• Low Crss  
• Low gate charge  
• Fast switching  
• Improved ESD capability  
• Improved dv/dt capability  
• 100% avalanche energy test  
APPLICATIONS  
• High efficiency swith mode power supplies  
• Electronic lamp ballasts  
• UPS  
O
N60  
4N60  
N60  
4N60  
RMP4N60IP  
RMP4N60LD  
RMP4N60TI  
RMP4N60T2  
TO-251  
TO-252  
TO-220F  
TO-220  
N60  
4N60  
N60  
4N60  
2019-10/98  
REV:O  

与RMP4N60LD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RMP4N60T2 RECTRON

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Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2000 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N60TI RECTRON

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Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2000 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N65IP RECTRON

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Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N65LD RECTRON

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Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N65T2 RECTRON

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Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N65TI RECTRON

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Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N70IP RECTRON

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Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2500 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N70LD RECTRON

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Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2500 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N70T2 RECTRON

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Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2500 mOhms;Total Gate Charge
RMP4N70TI RECTRON

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Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2500 mOhms;Total Gate Charge