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RMP12N65TI

更新时间： 2024-10-15 18:04:51

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
7页	1518K
描述
Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 12.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 42 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 51 W;Input Capacitance (Ciss) : 1480 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220F

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RMP12N65TI 数据手册

RMP12N65TI

THRU

RMP12N65T2

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

RMP12N65 is an N-channel enhancement mode MOSFET,which uses the self-aligned

planar process and improved terminal technology,reducing the conduction loss,

enhancing the avalanche energy.

650

0.85

FEATURES

• Low Crss

• Low gate charge

• Fast switching

• Improved ESD capability

• Improved dv/dt capability

• 100% avalanche energy test

APPLICATIONS

• High efficiency swith mode power supplies

• Electronic lamp ballasts

• UPS

12N65

RMP12N65IP

RMP12N65LD

RMP12N65TI

TO-251

TO-252

TO-220F

TO-220

RMP12N65

2018-03 /27

REV:O

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RMP1908	HAMMOND	获取价格	DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE
RMP1913	HAMMOND	获取价格	DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE
RMP1915	HAMMOND	获取价格	PANEL CHASSIS 16.7X13X0.5" UNPTD
RMP20N500T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 500 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 230 mOhms;Total Gate Charge (n
RMP20N500TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 500 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 230 mOhms;Total Gate Charge (n
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RMP20SCF18K0Q9	RESI	获取价格	RMP20S系列是TO-220封装平面功率电阻，提供薄膜和厚膜两种技术，薄膜技术不仅可以实
RMP20SCF24K0Q9	RESI	获取价格	RMP20S系列是TO-220封装平面功率电阻，提供薄膜和厚膜两种技术，薄膜技术不仅可以实
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