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RMD05P60ES9

更新时间： 2024-10-15 18:09:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
7页 259K
描述
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.47 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.6 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.83 W;Input Capacitance (Ciss) : 42 pF;Polarity : P-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : SOT-363

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RMD05P60ES9  
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
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The RMD05P60ES9 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary  
MOSFETs may be used to form a level shifted high side  
switch, and for a host of other applications.  
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General Features  
4OP 6IEW  
VDS = -60V,ID = -0.47A  
3300  
RDS(ON)  
RDS(ON) 2500  
GS=-4.5V  
GS=-10V  
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Halogen-free  
SOT-363  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
84DS3  
RMD05P60ES9  
SOT-363-6L  
Ø180mm  
8mm  
3000units  
Absolute Maximum Ratings (TA=25 unless otherwise noted)  
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2021-09/J  
REV:O  
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