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RM90N60LD

更新时间： 2024-07-24 10:04:09

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RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
7页	548K
描述
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 90 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 98 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 108 W;Vgs(th) (typ) : 1.7 V;Input Capacitance (Ciss) : 6276 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-252(D-PAK)

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RM90N60LD 数据手册

RM90N60LD

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

60 V,90 A

Halogen-free

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

90N60

TO-252

RM90N60LD

2020-11/59

REV:O

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RM9122	MICROSEMI	获取价格	Microprocessor,
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