Datasheet > RM8N650DF

RM8N650DF

更新时间： 2024-11-26 18:09:23

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	417K
描述
Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 7.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 460 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 14.5 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 58 W;Input Capacitance (Ciss) : 590 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : DFN5X6-8L

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RM8N650DF 数据手册

ꢀ

RM8N650DF

ꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢆꢇꢈꢀꢉꢊꢋꢇꢌꢀꢍꢊꢆꢎꢏꢐꢑꢆꢀꢒꢑꢓꢇꢌꢀꢔꢕꢉꢖꢗꢘꢀꢁꢀ

ꢙꢇꢆꢇꢌꢅꢈꢀꢚꢇꢛꢎꢌꢐꢋꢏꢐꢑꢆꢀ

ꢀꢁꢂꢃꢄꢂꢅꢆꢂꢄꢃꢇꢈꢃꢉꢂꢊꢆꢋꢂꢄꢃꢌꢄꢂꢃꢍꢉꢊꢍꢎꢋꢂꢉꢃꢏꢅꢂꢎꢋꢁꢃꢐꢍꢏꢂꢃꢄꢌꢑꢂꢅꢃ

ꢴ_ꢗꢘꢃ ꢃ ꢃ

ꢖ_{ꢗꢘꢙꢚꢛꢜꢀꢷꢦ}

ꢀ_ꢁꢂ

ꢵꢶꢰꢃ

ꢸꢵꢰꢃ

ꢃꢄꢅꢂ

ꢴꢃ

ꢨꢹꢃ

ꢆꢂ

ꢃ

ꢒꢌꢎꢋꢏꢆꢇꢎꢃꢏꢂꢋꢁꢎꢇꢓꢇꢐꢔꢃꢍꢎꢉꢃꢉꢂꢄꢆꢐꢎꢃꢏꢇꢃꢑꢅꢇꢊꢆꢉꢂꢃꢂꢕꢋꢂꢓꢓꢂꢎꢏꢃꢖ^{ꢗꢘꢙꢚꢛꢜꢃ}

ꢝꢆꢏꢁꢃꢓꢇꢝꢃꢐꢍꢏꢂꢃꢋꢁꢍꢅꢐꢂꢞꢃꢀꢁꢆꢄꢃꢄꢌꢑꢂꢅꢃꢒꢌꢎꢋꢏꢆꢇꢎꢃꢟꢚꢘꢠꢡꢀꢃꢈꢆꢏꢄꢃꢏꢁꢂꢃ

ꢆꢎꢉꢌꢄꢏꢅꢔꢢꢄꢃ ꢣꢤꢥꢗꢤꢃ ꢘꢟꢦꢘꢃ ꢅꢂꢧꢌꢆꢅꢂꢨꢂꢎꢏꢄꢃ ꢈꢇꢅꢃ ꢦꢠꢤꢩꢃ ꢣꢤꢪꢗꢤ

ꢑꢇꢝꢂꢅꢃꢋꢇꢎꢊꢂꢅꢄꢆꢇꢎꢩꢃꢍꢎꢉꢃꢆꢎꢉꢌꢄꢏꢅꢆꢍꢓꢃꢑꢇꢝꢂꢅꢃꢍꢑꢑꢓꢆꢋꢍꢏꢆꢇꢎꢄꢞꢃ

ꢃ

ꢖꢇꢅꢏꢊꢌꢇꢛꢀ

ꢀꢛꢂꢝꢃꢏꢂꢋꢁꢎꢇꢓꢇꢐꢔꢃꢈꢇꢅꢃꢁꢆꢐꢁꢃꢊꢇꢓꢏꢍꢐꢂꢃꢉꢂꢊꢆꢋꢂꢃ

ꢀꢫꢇꢝꢃꢇꢎꢥꢅꢂꢄꢆꢄꢏꢍꢎꢋꢂꢃꢍꢎꢉꢃꢓꢇꢝꢃꢋꢇꢎꢉꢌꢋꢏꢆꢇꢎꢃꢓꢇꢄꢄꢂꢄꢃ

ꢀꢘꢨꢍꢓꢓꢃꢑꢍꢋꢬꢍꢐꢂꢃ

ꢀꢭꢓꢏꢅꢍꢃꢫꢇꢝꢃꢮꢍꢏꢂꢃꢤꢁꢍꢅꢐꢂꢃꢋꢍꢌꢄꢂꢃꢓꢇꢝꢂꢅꢃꢉꢅꢆꢊꢆꢎꢐꢃꢅꢂꢧꢌꢆꢅꢂꢨꢂꢎꢏꢄꢃ

ꢀꢯꢰꢰꢱꢃꢣꢊꢍꢓꢍꢎꢋꢁꢂꢃꢀꢂꢄꢏꢂꢉꢃ

ꢀꢖꢚꢲꢘꢃꢋꢇꢨꢑꢓꢆꢍꢎꢏꢃ

ꢀ

ꢜꢋꢋꢈꢐꢎꢅꢏꢐꢑꢆꢀ

ꢀꢁ ꢦꢇꢝꢂꢅꢃꢈꢍꢋꢏꢇꢅꢃꢋꢇꢅꢅꢂꢋꢏꢆꢇꢎꢀꢦꢠꢤꢁꢃ

ꢀꢁ ꢘꢝꢆꢏꢋꢁꢂꢉꢃꢨꢇꢉꢂꢃꢑꢇꢝꢂꢅꢃꢄꢌꢑꢑꢓꢆꢂꢄꢙꢘꢟꢦꢘꢜꢃ

ꢀꢁ ꢭꢎꢆꢎꢏꢂꢅꢅꢌꢑꢏꢆꢳꢓꢂꢃꢦꢇꢝꢂꢅꢃꢘꢌꢑꢑꢓꢔꢀꢭꢦꢘꢁꢃ

Halogen-free

ꢉꢎꢄꢇ$ꢅꢏꢐꢎꢀ!ꢐꢅ ꢌꢅ$ꢀ

ꢀ

ꢒꢅꢎꢝꢅ ꢇꢀꢔꢅꢌꢝꢐꢆ ꢀꢜꢆ!ꢀꢕꢌ!ꢇꢌꢐꢆ ꢀ"ꢆ#ꢑꢌ$ꢅꢏꢐꢑꢆꢃ

ꢚꢇ%ꢐꢎꢇꢀ ꢃ

ꢚꢇ%ꢐꢎꢇꢀꢒꢅꢎꢝꢅ ꢇꢃ

ꢔꢅꢌꢝꢐꢆ ꢀ

ꢖꢟꢺꢛꢵꢶꢰꢗꢠ

ꢗꢠꢛꢶꢻꢵꢥꢺꢫꢃ

ꢺꢛꢵꢶꢰ

ꢃ

ꢀ

ꢘꢑꢋꢀ1ꢐꢇꢓꢃ

1ꢅꢈꢊꢇꢀ

3ꢑꢏꢏꢑ$ꢀ1ꢐꢇꢓꢃ

ꢘꢅ&ꢈꢇꢀ'(ꢀ ꢀ ꢜ&ꢛꢑꢈꢊꢏꢇꢀꢔꢅ)ꢐ$ꢊ$ꢀ*ꢅꢏꢐꢆ ꢛꢀ+ꢘ_ꢃ,-.ꢀ/ꢀ

ꢒꢅꢌꢅ$ꢇꢏꢇꢌꢀ

ꢉ0$&ꢑꢈꢀ

ꢴ^ꢗꢘꢃ

2ꢆꢐꢏꢀ

ꢴꢃ

ꢵꢶꢰꢃ

ꢃꢿꢰꢃ

ꣃꢞꢶꢃ

ꢗꢅꢍꢆꢎꢥꢘꢇꢌꢅꢋꢂꢃꢴꢇꢓꢏꢍꢐꢂꢃꢙꢴ^ꢮꢘꢼꢰꢴ^ꢂꢀ

ꢮꢍꢏꢂꢥꢘꢇꢌꢅꢋꢂꢃꢴꢇꢓꢏꢍꢐꢂꢃꢙꢴ^ꢗꢘꢼꢰꢴꢜꢃꢩꢣꢤꢃꢙꢈꢽꢯꢃꢲꢾꢜꢃ

ꢤꢇꢎꢏꢆꢎꢌꢇꢌꢄꢃꢗꢅꢍꢆꢎꢃꢤꢌꢅꢅꢂꢎꢏꢃ ꢃ ꢍꢏꢃꢀꢋꢼꣀꢶꣁꢤꢃ

ꢴꢃ

ꢴ^ꢮꢘꢃ

ꢣꢃ

ꣂ_{ꢗꢃꢙꢗꢤꢜ}

ꢃ

ꢤꢇꢎꢏꢆꢎꢌꢇꢌꢄꢃꢗꢅꢍꢆꢎꢃꢤꢌꢅꢅꢂꢎꢏꢃ ꢃ ꢍꢏꢃꢀꢋꢼꢯꢰꢰꣁꢤꢃ

ꢸꢞꢺꢃ

ꢣꢃ

ꢀ+ꢁꢑꢏꢇꢀ'/

ꢿꢰꢃ

ꢣꢃ

ꣂ_{ꢗꢟꢃꢙꢑꢓꢌꢄꢂꢜ}

ꢃ

ꢦꢌꢓꢄꢂꢉꢃꢉꢅꢍꢆꢎꢃꢋꢌꢅꢅꢂꢎꢏ

ꢃ

ꢟꢍꢕꢆꢨꢌꢨꢃꢦꢇꢝꢂꢅꢃꢗꢆꢄꢄꢆꢑꢍꢏꢆꢇꢎꢙꢀꢋꢼꣀꢶꢀꢜꢃ

ꢶꢺꢃ

꣄ꢃ

ꢦ_ꢗꢃ

ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢃ ꢗꢂꢅꢍꢏꢂꢃꢍꢳꢇꢊꢂꢃꣀꢶꣁꢤꢃ

ꢰꢞꢶꢶꢃ

ꢯꢶꢵꢃ

ꢯꢞꢶꢃ

꣄ꢪꣁꢤꢃ

ꢨꣅꢃ

ꢣꢃ

ꢘꢆꢎꢐꢓꢂꢃꢑꢌꢓꢄꢂꢃꢍꢊꢍꢓꢍꢎꢋꢁꢂꢃꢂꢎꢂꢅꢐꢔꢃ^{+ꢁꢑꢏꢇ-/}

ꢃ

ꢡ^ꢣꢘꢃ

ꣂ_ꢣꢖꢃ

+ꢁꢑꢏꢇꢀ'/

ꢣꢊꢍꢓꢍꢎꢋꢁꢂꢃꢋꢌꢅꢅꢂꢎꢏ

ꢃ

ꢀ

ꢖꢂꢑꢂꢏꢆꢏꢆꢊꢂꢃ ꢣꢊꢍꢓꢍꢎꢋꢁꢂꢃ ꢂꢎꢂꢅꢐꢔꢃ ꢂꢏ_ꢣꢖꢃ ꢓꢆꢨꢆꢏꢂꢉꢃ ꢳꢔꢃ ꢀ_ꢒꢨꢍꢕ

ꢰꢞꣀꢶꢃ

ꢡ_ꢣꢖꢃ

ꢨꣅꢃ

+ꢁꢑꢏꢇꢀ'/

ꢃ

2018-09/15

REV:O

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与RM8N650DF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM8N650HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N650IP	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N650LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N650T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N650TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N700HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N700IP	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N700LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N700T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N700TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (

与RM8N650DF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RM8N650DF

RM8N650DF 数据手册

与RM8N650DF相关器件

与RM8N650DF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RM8N650DF

RM8N650DF 数据手册

与RM8N650DF相关器件

与RM8N650DF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？