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RM8810

更新时间： 2024-10-15 18:09:47

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
10页	479K
描述
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 7.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms;Maximum Power Dissipation (W) : 1.5 W;Vgs(th) (typ) : 0.6 V;Input Capacitance (Ciss) : 1295 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : SOT-23-6L

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RM8810 数据手册

RM8810

D e s c r i p t i o n s

N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. It is ESD protested.

Features

advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge.

V_DSS=20VˋV_GSS=±±2V I_D=7A

R_DS(ON)=±6mꢀ(typ.)@V_GS=4.5V

R_DS(ON)=±9mꢀ(typ.)@V_GS=2.5V

Applications

Use as Load Switch or PWM application.

Equivalent Circuit

P i n n i n g

20±8-06/33

REV:O

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM8A	YUXIANG	获取价格	RM CORES
RM8A5P60S8	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 8.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 30 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM-8DO2	REDLION	获取价格	I/O Module â Discrete Outputs
RM-8DO2-F	REDLION	获取价格	I/O Module â Discrete Outputs
RM-8DO2-M	REDLION	获取价格	I/O Module â Discrete Outputs
RM8-K-12P-DS	FERYSTER	获取价格	RM Bobbins
RM8-K-12P-SS	FERYSTER	获取价格	RM Bobbins
RM8-K-12P-SS-DIL	FERYSTER	获取价格	RM Bobbins
RM8N650DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 7.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 460 mOhms;Total Gate Charge (
RM8N650HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 8.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 540 mOhms;Total Gate Charge (