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RM80N60DF

更新时间： 2024-06-27 12:11:57
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
8页 397K
描述
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 67 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 85 W;Vgs(th) (typ) : 1.7 V;Input Capacitance (Ciss) : 4000 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : DFN5X6-8L

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RM80N60DF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72JESD-609代码：e3
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RM80N60DF 数据手册

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RM80N60DF  
N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
uses Super Trench technology that is  
The RM80N60DF  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
ƽ VDS =60V,ID =80A  
RDS(ON) < 4.0mΩ @ VGS=10V (Typ:3.5mΩ)  
RDS(ON) < 5.0mΩ @ VGS=4.5V (Typ:4.0mΩ)  
ƽ Excellent gate charge x RDS(on) product  
ƽ Very low on-resistance RDS(on)  
ƽ 150 °C operating temperature  
ƽ Pb-free lead plating  
Marking and pin assignment  
D
D D D  
D
D D D  
ƽ 100% UIS tested  
Application  
ƽ DC/DC Converter  
ƽ Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
S
S S G  
G
S S S  
100% UIS TESTED!  
Top View  
Bottom View  
100% Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
RM80N60DF  
DFN5X6-8L  
-ꢀ  
-
-ꢀ  
80N60  
Absolute Maximum Ratings (TC=25ćunless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100ć)  
Pulsed Drain Current  
80  
58  
A
ID  
ID (100ć)  
IDM  
A
320  
85  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.68  
400  
W/ć  
mJ  
ć
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
2017-05  
REV:O17  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM80N60LD RECTRON

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 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM80N650T7 RECTRON

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 		Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 37 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N75HD RECTRON

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 		Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N75T2 RECTRON

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 		Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N80HD RECTRON

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 		Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N80T2 RECTRON

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 		Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80P40LD RECTRON

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 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80P40LDV RECTRON

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 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
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