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RM80N30DN PDF预览

RM80N30DN

更新时间： 2024-09-17 18:09:19
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
6页 947K
描述
Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 66 W;Vgs(th) (typ) : 1.6 V;Input Capacitance (Ciss) : 2200 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : PPAK3X3

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RM80N30DN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71JESD-609代码：e3
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RM80N30DN 数据手册

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General Description  
Features  
DFN3x3 Pin Configuration  
Applications  
Marking: Rectron logo+ 80N30+ Data code  
2022-09/57  
REV:B  
123456

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与RM80N30DN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM80N30LD RECTRON

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 		Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N60DF RECTRON

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 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N60LD RECTRON

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 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM80N650T7 RECTRON

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 		Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 37 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N75HD RECTRON

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 		Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N75T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N80HD RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N80T2 RECTRON

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 		Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80P40LD RECTRON

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 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80P40LDV RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ

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