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RM80N20DN

更新时间： 2024-10-15 18:09:43

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
7页	518K
描述
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 80.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 52 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 66 W;Vgs(th) (typ) : 0.65 V;Input Capacitance (Ciss) : 3870 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : PPAK3X3

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RM80N20DN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RM80N20DN 数据手册

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General Description

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These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are using trench DMOS technology. This

advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode. These devices are

well suited for high efficiency fast switching applications.

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Features

zꢀ 20V,80A, RDS(ON) =3.5mȍ@VGS = 10V

zꢀ Improved dv/dt capability

zꢀ Fast switching

zꢀ 100% EAS Guaranteed

zꢀ Green Device Available

PPAK3x3 Pin Configuration

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Applications

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zꢀ MB / VGA / Vcore

zꢀ POL Applications

zꢀ SMPS 2^ndSR

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与RM80N20DN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM80N30DF	RECTRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
RM80N30DN	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N30LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N60DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N60LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM80N650T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 37 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N75HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N75T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N80HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM80N80T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ

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