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RM6N800TI

更新时间： 2024-09-16 18:05:03
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RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
10页 641K
描述
Vdss (V) : 800 V;Id @ 25C (A) : 6.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 750 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 22.8 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 32.4 W;Vgs(th) (typ) : 3.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 1320 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220F

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2016-11  
REV:O15  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM6P20ES6 RECTRON

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 		Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 6.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 30 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM6R-3D3 FERROXCUBE

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 		RM, RM/I, RM/ILP cores and accessories
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