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RM60N75LD

更新时间： 2024-06-27 12:12:17
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
8页 556K
描述
Vdss (V) : 84 V;Id @ 25C (A) : 60.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 100 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 140 W;Vgs(th) (typ) : 3.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 4400 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : TO-252(D-PAK)

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RM60N75LD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
JESD-609代码：e3峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Matte Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RM60N75LD 数据手册

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RM60N75LD  
Enhancement Mode Power MOSFET  
N-Channel  
Product Summary  
General Description  
The RM60N75LD uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate  
charge. It can be used in a wide variety of applications.  
BVDSS  
typ.  
84  
6.8  
8.5  
60  
V
RDS(ON) typ.  
max.  
mΩ  
mΩ  
A
ID  
Features  
ƽ VDS=75V˗ID=60A@ VGS=10V˗  
100% UIS TESTED!  
RDS(ON)<8.5mΩ @ VGS=10V  
ƽ Special process technology for high ESD capability  
ƽ Special designed for Convertors and power controls  
ƽ High density cell design for ultra low Rdson  
ƽ Fully characterized Avalanche voltage and current  
ƽ Good stability and uniformity with high EAS  
ƽ Excellent package for good heat dissipation  
D
G
S
Application  
ƽꢀ Power switching application  
ƽꢀ Hard Switched and High Frequency Circuits  
ƽꢀ Uninterruptible Power Supply  
TO-252-2L top view  
Schematic diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
60N75  
RM60N75LD  
TO-252-2L  
-
-
-
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25ć)  
Parameter  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Drain-Source Voltage (VGS=0V˅  
Gate-Source Voltage (VDS=0V)  
VDS  
VGS  
V
V
±20  
60  
Drain Current (DC) at Tc=25ć  
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
dv/dt  
PD  
A
Drain Current (DC) at Tc=100ć  
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)  
Peak diode recovery voltage  
42  
A
310  
30  
A
V/ns  
W
Maximum Power Dissipation(Tc=25ć)  
140  
0.95  
300  
Derating factor  
W/ć  
mJ  
ć
Single pulse avalanche energy (Note 2)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
TJ,TSTG  
-55 To 175  
Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
2017-05  
REV:O15  
2.EAS condition˖Tj=25ć,VDD=37.5V,VG=10V,L=0.5mH  
12345678

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与RM60N75LD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM60N80D3 RECTRON

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 		Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 60 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM60P04Y RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 106 mOhms;Total Gate Charge (n
RM60P60HD RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 61 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 18 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM60P60T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 61 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 18 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM60SZ-6R MITSUBISHI

获取价格

 		MEDIUM POWER GENERAL USE NON-INSULATED TYPE
RM60SZ-6S MITSUBISHI

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 		MEDIUM POWER GENERAL USE NON-INSULATED TYPE
RM6172AMJRQML TI

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 		VIDEO AMPLIFIER, CDIP8, CERDIP-8
RM621A ETC

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 		电磁炉专用控制器集成电路
RM62A ETC

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 		Optoelectronic
RM6301T REACTOR

获取价格

 		12V2A power adapter application

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