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RM4N700S4

更新时间： 2024-11-22 18:09:31
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RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
8页 619K
描述
Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1100 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 8.8 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 5.2 W;Vgs(th) (typ) : 3.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 304 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : SOT-223

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与RM4N700S4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM4P20ES6 RECTRON

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 		Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 4.1 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 39 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM4P20S6 RECTRON

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 		Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 4.1 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 39 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM4P30S6 RECTRON

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 		Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 4.2 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 47 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM4T102D CRYDOM

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 		General Purpose Inductor, 100uH, 1 Element
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