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RECTRON | ![]() |
栅 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 383K | ![]() |
描述 | ||
Vdss (V) : 500 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 18 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 54W;Vgs(th) (typ) : 3.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 480 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : TO-252(D-PAK) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM4N650HD | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N650IP | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N650LD | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N650T2 | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N650TI | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N700DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 3.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1122 mOhms;Total Gate Charge |
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RM4N700IP | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N700LD | RECTRON |
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N-Channel Super Junction Power MOSFET |
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RM4N700S4 | RECTRON |
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Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1100 mOhms;Total Gate Charge |
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RM4P20ES6 | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 4.1 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 39 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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