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RM45N80LD

更新时间： 2024-11-19 18:09:03

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
5页	227K
描述
Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 45 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 50 W;Vgs(th) (typ) : 2.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 1310 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-252(D-PAK)

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RM45N80LD 数据手册

RM45N80LD

N-Channel Trench MOSFET

Symbol

Features

V_DSı80V

̰7mಳ@V_GS=10V

R_DS(ON)

R_DS(ON)̰8.5mಳ@V_GS=4.5V

High Efficiency

improved dv/dt capability

Low Dense Cell Design

Application

LED lighting , Quick Charger

Networking, Load Swtich

Halogen-free

TO-252

Simplified Outline

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

12mm

Quantity

45N80

RM45N80LD

TO-252

Ø330mm

2500 units

Absolute Maximum Rating

Symbol

Parameter

Condition

Value

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

T_C=25ć

I_D

Continuous Drain Current

T_C=70ć

V_GS

I_DM

P_D

Gate-Source Voltage

T_C=25ć

Pulsed Drain Current

100

Total Power Dissipation

EAS

T_STG

T_J

110

Single Pulse Avalanche Energy

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

-55 to 150

150

2023-01/119

REV:A

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RM4606S8 (N)	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 6.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 20 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM4606S8 (P)	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 7.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM46L430	TI	获取价格	16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，USB
RM46L430CPGET	TI	获取价格	16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，USB \| PGE \| 14
RM46L430CZWTT	TI	获取价格	16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，USB \| ZWT \| 33
RM46L440	TI	获取价格	16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，EMAC
RM46L440CPGET	TI	获取价格	16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，EMAC \| PGE \| 1
RM46L440CZWTT	TI	获取价格	16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，EMAC \| ZWT \| 3
RM46L450	TI	获取价格	RM46Lx50 16/32-Bit RISC Flash Microcontroller